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>微奈米产品 >蓝宝石基板微结构应用
NPSS
●图案化蓝宝石基板(简称PSS):在蓝宝石基板上以化学湿蚀刻或ICP干蚀刻方式在蓝宝石基板上制作出微奈米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光方向。
●LED磊晶使用PSS基板可以有效减少GaN磊晶材料的差排缺陷,改善磊晶质量以提升内量子效率,减小反向漏电流来提高LED的产品周期
●LED磊晶层发出的光,经GaN和PSS界面多次散射,可以改变LED的散射机制,或将散射光导引至LED内部,改变了全反射光的出射角,进而大幅提升 LED组件的发光效率,是制作高效率蓝光与白光LED的关键技术。
●永鑫光电采用类压印黄光制程,非采用UV胶材压印技术,避免了压印胶不易清洗缺点,有利于传统黄光Stepper制程与永鑫压印制程的生产调配
●Pitch 1μm: CD 0.72μm/Space 0.28μm/Hight 0.5μm
●Pitch 600nm: CD 0.5μm/Space 0.1μm/Hight 0.3μm
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NPSS
●图案化蓝宝石基板(简称PSS):在蓝宝石基板上以化学湿蚀刻或ICP干蚀刻方式在蓝宝石基板上制作出微奈米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光方向。
●LED磊晶使用PSS基板可以有效减少GaN磊晶材料的差排缺陷,改善磊晶质量以提升内量子效率,减小反向漏电流来提高LED的产品周期
●LED磊晶层发出的光,经GaN和PSS界面多次散射,可以改变LED的散射机制,或将散射光导引至LED内部,改变了全反射光的出射角,进而大幅提升 LED组件的发光效率,是制作高效率蓝光与白光LED的关键技术。
●永鑫光电采用类压印黄光制程,非采用UV胶材压印技术,避免了压印胶不易清洗缺点,有利于传统黄光Stepper制程与永鑫压印制程的生产调配
●Pitch 1μm: CD 0.72μm/Space 0.28μm/Hight 0.5μm
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